三星電子宣布開(kāi)發(fā)出業(yè)內(nèi)首款基于第三代10nm級(jí)工藝的DRAM內(nèi)存芯片，在業(yè)界內(nèi)首次達(dá)到了這個(gè)成績(jī)，此時(shí)距離三星大規(guī)模生產(chǎn)第二代10nm級(jí)8GB DDR4 DRAM芯片僅僅過(guò)去了16個(gè)月。

根據(jù)三星給出的信息，第三代DDR4 DRAM也就是1z-nm級(jí)，相比此前的1y-nm在生產(chǎn)效率上有了20%的提升，可以更好地滿足現(xiàn)在日益增長(zhǎng)的市場(chǎng)對(duì)內(nèi)存芯片的需求，而且工藝的進(jìn)步也會(huì)帶來(lái)效能的提升，同樣的存儲(chǔ)體積下，1z-nm能帶來(lái)更加優(yōu)秀的耗電情況和執(zhí)行效率。

圖源leikeji

三星電子已經(jīng)明確表示會(huì)在今年下半年實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)，成品的8GB DDR4模組也在驗(yàn)證中，目標(biāo)領(lǐng)域是下一代企業(yè)級(jí)服務(wù)器和2020年的高端PC產(chǎn)品。